«جلوبل فاوندريز» تتعاون مع «سامسونج» لإنتاج رقائق «فن فيت» إلكترونية

أعلنت شركة «جلوبل فاوندريز»، المملوكة لشركة «مبادلة للتنمية»، أمس، عن دخولها في تعاون استراتيجي جديد مع شركة سامسونج للإلكترونيات لإنتاج رقائق «FinFET» للمعالجة المزودة بتقنية 14 نانومتر على نطاق عالمي غير مسبوق.

وتسعى كل من «سامسونج» و«جلوبل فاوندريز» لإحداث تغيير جوهري في المنظومة المتكاملة لتصنيع الرقائق الإلكترونية، عبر توفير القدرة على تصنيع تصميم GDS II موحد في عدد من المنشآت الصناعية بالقرب من العملاء حول العالم.

ولأول مرة ستتوافر رقائق «FinFET» بتقنية 14 نانومتر الأكثر تقدماً حول العالم عبر الشركتين، مما يضمن للعملاء الحصول على تصميم حقيقي متوافق مع المصادر المتعددة حول العالم.

ويستفيد هذا التعاون المشترك من القدرات التصنيعية المتطورة والرائدة عالمياً في مجال أشباه الموصلات للمنشآت الصناعية التابعة للشركتين والمنتشرة في عدد من مناطق العالم، والمقترنة أيضاً بقدرات إنتاجية ضخمة توفرها مصانع سامسونج في هواسيونج في كوريا الجنوبية، وأوستن - تكساس بالولايات المتحدة، ومصنع جلوبل فاوندريز في ساراتوجا بولاية نيويورك.

وقالت ليزا سو، نائب أول الرئيس ومدير عام وحدات الأعمال الدولية في شركة «إيه إم دي»: «إن هذا التعاون غير المسبوق سينتج عنه قدرات موسعة عبر العالم لرقائق «FinFET» بتقنية 14 نانومتر، توفر لشركة «إيه إم دي» قدرات محسنة، تساعدها في تحويل حقوقها الفكرية المبتكرة إلى سيليكون باستخدام أحدث التقنيات.

وتعد شركة الأجهزة الدقيقة المتقدمة (ايه إم دي)، والتي تتخذ من الولايات المتحدة الأميركية مقراً لها، شركة متعددة الجنسيات متخصصة في صناعة أشباه الموصلات، تنتج معالجات الكمبيوتر والتقنيات ذات الصلة للأسواق التجارية والاستهلاكية والإلكترونيات.

وأضافت أن العمل الذي تقوم به كل من «سامسونج» و«جلوبل فاوندريز» معاً سيساعد «إيه إم دي» على إنتاج الجيل التالي من منتجاتها المتطورة بمستويات جديدة، تتمتع بقدرات معالجة وغرافيك يمكن استخدامها في أجهزة تتنوع ما بين الهواتف المتحركة ذات الطاقة المنخفضة، مروراً بأجهزة الخادم عالية الكثافة من الجيل التالي وحتى حلول الأداء المتفوق.

من جهته، قال الدكتور ستيفن وو، رئيس إدارة إل إس آي سيستم لحلول الأجهزة والأعمال في شعبة الإلكترونيات التابعة لشركة سامسونج: إن هذا التعاون الاستراتيجي يزيد من القيمة المعروضة لتصميم «GDS II» متعدد المصادر والمتوافق مع رقائق «FinFET»، ويسهل تأسيس هذه المنصة عالمية المصادر عبر سامسونج وجلوبل فاوندريز، عملية حصول الشركات غير المصنعة لأشباه الموصلات على تقنية رقائق «FinFET»، وعبر هذا التعاون يتم تطوير صناعة أشباه الموصلات، ونقدم نموذجاً جديداً من التعاون، يتوافق مع ما كان يطالب به العملاء.

بدوره، قال سانجاي جها، الرئيس التنفيذي لشركة جلوبل فاوندريز: «إن هذا الإعلان يعد بمثابة دليل آخر على أهمية التعاون في سبيل استمرار الابتكار في عالم صناعة أشباه الموصلات، وعبر أول تعاون من نوعه لتصنيع رقائق FinFET بتقنية 14 نانومتر، سننجح في توفير المزيد من الخيارات والمرونة للشركات العالمية الرائدة التي لا تمتلك مصانع لأشباه الموصلات، وفي الوقت ذاته، نساعدهم في المحافظة على ريادتهم العالمية في سوق الهواتف المتحركة».

يُشار إلى أن رقاقة «FiNET» بتقنية 14 نانومتر التي طورتها «سامسونج»، ومنحت رخصة تصنيعها لشركة «جلوبل فاوندريز»، تستند في تصميمها إلى منصة تكنولوجية، تتمتع حالياً بموقع الأفضلية بالنسبة للشركات حول العالم.